新規装置導入のご案内　（令和8年8月31日更新）

イオンビームエッチング装置（伯東社製　10IBE-EPD-SS）を新たに導入いたしました。本装置はカウフマン型イオンソースにより生成したArイオンビームにより、薄膜磁気、化合物半導体、SAWデバイス等のエッチングプロセスを行います。特に磁性材料、超伝導材料、Au、Ptなどの難エッチング材料のエッチングに最適です。二次イオン検出器（SIMS）によりエッチング中のモニタリングが可能で、エンドポイントディテクターとして利用できます。また、エッチング後に大気開放せずにSiO2等の絶縁体のスパッタリング成膜が可能です。

詳しくは装置紹介のページをご覧ください.

データ共用サービス開始のお知らせ (令和7年9月30日)

マテリアル先端リサーチインフラ（ARIM）事業において蓄積された、国内26の大学・研究機関の10万件を超える構造化データの共用サービスを、9月30日より本格的に開始しました。約1,200台の機器を利用する研究から創出された、各種測定値、グラフ、画像など豊富なマテリアルデータに関する構造化データをダウンロードして、機械学習等に利用することが可能です。

ARIMデータポータルサイトはこちら。
概要については報道発表をご覧ください。

「微細加工プラットフォーム」支援事業は「マテリアル先端リサーチインフラ」（Advanced Research Infrastructure for Materials and Nanotechnology in Japan: ARIM）事業に引き継がれました。

　微細加工プラットフォームにて共用機器をご利用頂いた方々は引き続きマテリアル先端リサーチインフラ（ARIM）事業（2022年度〜2032年度）にて引き続き共用支援致します。 マテリアル先端リサーチインフラ事業についてはこちらをご参照下さい。

薄膜形成からナノ構造・ナノデバイス作製まで総合支援

　名古屋大学は,ナノテクノロジーに関連する広範な技術領域およびそれらに必要となる各種材料群（半導体材料,磁性体材料,誘電体材料,セラミックス系材料,有機系材料など）に対して，最先端の薄膜形成技術,リソグラフィー技術,プラズマエッチング技術を保有しており，ナノ材料形成,ナノ構造形成,ナノデバイス形成などさまざまな支援を行うことができます。具体的には，クリーンルーム等の施設におけるスパッタリングや分子線エピタキシーによる薄膜の形成，フォトリソグラフィや電子線リソグラフィによる微細加工，イオン注入や反応性エッチング装置によるナノプロセス，光電子分光，原子間力顕微鏡，薄膜X線回折による表面分析や構造解析など，多様な装置群の利用とノウハウの提供によって，新規ナノ材料，ナノプロセス，ナノデバイスの研究開発を幅広く支援します。

　本事業では，下記の技術および支援を行います。
○ ナノスケール／マイクロスケール微細パターン形成技術
○ ナノ配線・ナノ電極形成技術
○ ナノドット・ナノ構造等の配列技術
○ プラズマを用いた各種材料のエッチングおよび表面処理技術
○ 各種電子・光デバイス構造作製技術
○ MEMS・NEMS構造作製技術
○ 各種材料（半導体材料，磁性材料，金属材料，有機材料， 無機材料など）の薄膜形成技術