装置一覧

マテリアル先端リサーチインフラ事業では，下記の装置群を利用してナノ素材，ナノ加工，ナノデバイスの研究開発に関する支援を行います。利用方法及び利用申請については，「ご利用方法」の項をご覧ください。
各装置利用の際の時間当たりの利用料はこちらをご覧下さい。

マテリアル先端リサーチインフラ事業では装置共用で創出されるマテリアルデータを構造化し，収集・蓄積を行います。データ登録／未登録で利用料金が異なりますので，ご注意下さい。 データ登録についての詳細は「ご利用方法」「データ登録」の項をご覧下さい。

装置利用料金表（2024.07 ）

成膜装置

装置 番号	設備名	仕様	設置場所
NU-213	8元マグネトロンスパッタ装置	2インチカソード8本 試料サイズ30 mm角 RF電源　500 W 2台 基板加熱：600℃ 1 kV Arイオンエッチング機構 試料交換室に8サンプルバンク可	先端研151室
NU-214	8元MBE装置	蒸着源：4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個 試料サイズ30 mm角 高圧電源3台 基板加熱：1000℃ 1kV Arイオンエッチング機構 25 kV RHEED表面観察機能	先端研151室
NU-205	3元マグネトロンスパッタ装置	島津製作所HSR-522 4インチカソード3本，RF電源500 W 2台 逆スパッタ機構，基盤回転，シャッター開閉機構による多層膜成長可能	先端研CR
NU-224	電子ビーム蒸着装置	アルバック社製　EBX-10D 最大投入電力：5kW るつぼ数4、ハースライナー使用	VBL
NU-229	スパッタ絶縁膜作製装置	MESアフティ社製　AFTEX-3420 対応基板サイズ：最大3インチ 酸化膜、窒化膜用	VBL
NU-216	スプレーコーター	サンメイ製　DC110 対応膜厚：1 µm〜600 µm 試料台サイズ：220 x 220 mm 粒子径：5 µm〜15 µm	先端研CR
NU-245	スパッタリング装置	キヤノンアネルバ社製　E-200S ターゲット：SiO2，Cr，Au,Pt 基板ホルダー：Φ200 mm 基板加熱：Max 300℃（水冷付）	IB館西棟5F
NU-248	パリレンコーティング装置	KISCO社製 DACS-LAB 蒸着チャンバー寸法：ID300 × H350 mm 回転：0.5～10rpm	IB館西棟5F
NU-221	プラズマCVD装置	サムコ社製　PD-240 基板加熱：抵抗加熱式 (～400℃) 適正ウェハ寸法：不定形～3インチ径 高周波電源：最大300 W（13.56 MHz，水晶制御式） 供給ガス：TEOS, O2，CF4	先端研CR
NU-232	原子層堆積装置	サムコ製　AD-100LE Al2O3, SiO2, AlOxNy, SiOxNy成膜用 基板サイズ：最大212 mmΦ 加熱温度：最大500℃ ガス導入系：有機金属系2系統，H2O，O2，N2	VBL
NU-262 NEW	プラズマ誘起CVD装置	サムコ製　 PD-220N 基板加熱：抵抗加熱式 (常用300℃) 適正ウェハ寸法：最大8インチ径 供給ガス：TEOS	VBL

露光・描画装置

装置 番号	設備名	仕様	設置場所
NU-206	電子線露光装置	日本電子社製　JBX6300FS 加速電圧：25 / 50 / 100kV 最小ビーム径：2 nm ビーム電流：100 pA - 2 nA 重ね合わせ精度：9 nm	先端研CR
NU-222	レーザー描画装置	Heidelberg Instruments社製　DWL66FS 最小描画サイズ：0.6μm 　　　　　　　　　　 最大描画サイズ：200mmX200mm 直描およびガラスマスク作製	先端研CR
NU-244	レーザ描画装置	Heidelberg Instruments社製　µPG101-UV 対応基板：100 mm ×100 mm 加工精度：3 µm 最小アドレスグリッド：100 nm	IB館西棟5F
NU-231	マスクレス露光装置	ナノシステムソリューションズ製　DL-1000 最大露光面積：200 mm x 200 mm 最小画素：1 µm（高精細露光機能付） つなぎ合わせ精度：0.1 µm 重ね合わせ精度：±1 µm オートフォーカス機能有	VBL
NU-257	露光プロセス装置一式	ユニオン光学社製　PEM800 両面露光が可能 対応基板サイズ：最大４インチ 最小パターン：3.0μm	EI創発工学館
NU-223	フォトリソグラフィ装置	共和理研社製　K310P100S 最大２インチ基板、マスク３インチ 最小パタンサイズ　２μm	VBL
NU-208	マスクアライナ一	Suss Micro Tec AG社製　MA-6 対応基板サイズ：10mm～最大6インチ径ウェハ 主波長：350 nm〜450 nm 裏面アラインメント機能（CCD画像記憶方式）	先端研CR
NU-250	マスクアライナ一	Suss Micro Tec AG社製　MJB-3 最大ウェーハサイズ：3 inch（吸引モード），4 inch（ソフトコンタクト） 照射範囲：3×3 inch 対応基板厚さ：4.5 mm 両面露光：可能（赤外線照明）	IB館西棟5F
NU-251	マスクアライナ一	ナノテック社製　LA410 適応マスク：最大　5 inch 適応資料：最大Φ4 inch 有効露光範囲：Φ80 mm以上	IB館西棟5F
NU-246 (1)	3次元レーザ・リソグラフィシステム	Nanoscribe社製　フォトニック・プロフェッショナル 2次元加工精度：100 nm 3次元加工精度：150 nm	IB館西棟5F
NU-247	ナノインプリント装置	SCIVAX社製　X-300 BVU-ND 形式：熱式，UV式 最大ワークサイズ：Φ150　mm 最大荷重：50　KN 最高仕様温度：250℃，650℃ UV機能：波長 365 nm／385 nm 有効照射面積：□100 mm	IB館西棟5F
NU-249	高精度電子線描画装置	日本電子社製　SPG-724 描画方式：ラスタースキャン方式/ブロックスキャン方式 描画フィールド：50μm□/100μm□/200μm□/500μm□（ラスタースキャン） 2,500μm□　1ブロック＝2.5μm□（ブロックスキャン）	IB館西棟5F
NU-260	マスクレス露光装置	ネオアーク社製　PALET DDB-701-DL4 露光領域：100 mm x 100 mm 最大ワークサイズ：Φ150mm x 10 mmt 光源：365 nm LED 最小画素：3 µm（対物レンズx10），15 µm（対物レンズx2）	先端研CR
NU-268	電子線描画用データ処理ソフトウェア	GenISys社製　BEAMER レイアウトエディタ パターンデータ変換 近接効果補正（PEC） グレースケール露光補正	先端研

プラズマプロセス・エッチング装置

装置番号	設備名	仕様	設置場所
NU-215	ECR-SIMSエッチング装置	ECRイオンガン：入江工研社製 RGB-114　マイクロ波入力150 W，加速電圧600 V，イオン照射径30mm SIMS検出器：PFEIFFER社製 EDP400 分析質量1-512 amu 試料角度調整，回転機構付き	先端研151
NU-225	ICPエッチング装置	アルバック社製　CE-300I 化合物エッチング 対応基板サイズ：最大6インチ基板 プロセスガス：Cl2	VBL
NU-234	ICPエッチング装置	サムコ製　RIE-200iPN 対応基板サイズ：2インチ x 4枚 プロセスガス：Cl2, BCl3, O2	VBL
NU-209	ICPエッチング装置一式	サムコ社製　RIE-800 ロードロック式装置 ウェーハサイズ：　6 inch ボッシュプロセス対応 ウエハー貫通エッチングが可能 加工速度：　50 um/min 加工ガス：　SF6，O2	先端研CR
NU-226	RIEエッチング装置	サムコ社製　RIE-10NR シリコン系エッチング 対応基板サイズ：最大8インチ プロセスガス：CF4,Ar,O2	VBL
NU-256	Deep Si Etcher	住友精密工業製　Multiplex-ASE　 ウェーハサイズ：6 inch ボッシュプロセス対応	全学技術 センター
NU-235	超高密度大気圧プラズマ装置	富士機械製造株式会社 大気圧プラズマ中のラジカルを用いた材料の表面処理（改質、洗浄） 使用ガス：Ar、N2、Ar+O2 電源：AC交流電源、９ｋV, 60 Hz	NIC4F 410
NU-243	真空紫外吸収分光計(原子状ラジカルモニター）	NUシステム社製 プラズマ診断用、真空チャンバー壁面に設置、H、O、N、Cラジカル密度計測可	NIC4F 410
NU-237	ラジカル計測付多目的プラズマプロセス装置	基板温度、ラジカル、マルチ分光器、FTIRを用いてエッチングの際に生成する温度、ラジカル密度、励起種、表面分析をIn-situで行う。 プロセスガス：H2、N2、Ar、O2、He 基板温度：－10℃-60℃ サンプル：Si、4インチウエハ	NIC4F 410
NU-238	高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置	Cl2あるいはBCl3ベースのプラズマエッチングにおいて，高温でのエッチングプロセスが可能 基板温度：200〜600℃ 使用ガス：Cl2，Ar，N2，BCl3，O2	NIC4F 410
NU-239	表面解析プラズマビーム装置	プラズマビームを材料表面に照射し，in-situ XPSによって評価することによって，表面-プラズマ間の反応の解析が可能 イオンおよびラジカルの入射フラックス比を変化させた表面状態の解析も可能 使用ガス：HBr，Ar，CF4，C4F8、Cl2，H2，N2，O2	NIC4F 410
NU-240	in-situプラズマ照射表面分析装置	プラズマ照射した表面を大気暴露すること無く，in-situでXPS，FT-IR，STM分析することが可能 プロセスガス：H2，N2，O2，Ar，He，SiH4，SF6，CF4	NIC4F 410
NU-267	RIEエッチング装置	サムコ社製　RIE-10NR シリコン系エッチング 対応基板サイズ：最大8インチ プロセスガス：CF4，O2	先端研

その他プロセス装置

装置 番号	設備名	仕様	設置場所
NU-201	イオン注入装置	日新電機社製　NH-20SR-WMH 加速電圧：30-200kV 注入電流：5nm～100μA	先端研CR
NU-218	電気炉	光洋リンドバーグ社製　MODEL272-2 温度範囲：400-1100℃	先端研CR
NU-219	酸化・拡散炉	光洋リンドバーグ社製　MODEL270-M100 温度範囲：600-1150℃ ウェット酸化用	先端研
NU-202	急速加熱処理装置	AG Associates社製　Heatpulse 610 温度範囲：400～1200℃ 昇温速度：200℃/sec	先端研CR
NU-246 (2)	超臨界乾燥機	KISCO社製　SCLEAD3CD2000 設計温度：100 ℃ 設計圧力：20 MPa	IB館西棟5F
NU-253	SEM用断面試料作製装置	日本電子社製　SM-09010 イオン加速電圧：2～6 kV イオンビーム径：500 um（半値幅） 最大搭載試料サイズ：幅11 mm × 長さ10 mm × 厚さ2 mm 試料移動範囲：X軸：±3 mm，Y軸：±3 mm
NU-211	フェムト秒レーザー加工分析システム	輝創社製　UFL-Hybrid 光源：1041 nm, 550 fs, 10 µJ (IMRA µjewel D-1000) 高調波発生ユニット：40% @520 nm, 5% @347 nm (加工ステーション) 最大試料寸法：100 mm x 100 mm 加工スポット：3.5 µmφ (分析ステーション) 時間分解蛍光・磁気分析・光干渉断層撮影	先端研102-2
NU-210	ダイシングソー装置	サムコ社製　DAD522 最大ワークサイズ：Φ152.4 mm 切削可能範囲（XY）：220 mm×160 mm 有効ストローク（Z）：27.2　mm 回転角：380° アラインメント用対物レンズ：100倍	先端研CR

計測・分析装置

装置番号	設備名	仕様	設置場所
NU-227	走査型電子顕微鏡	日立ハイテクフィールディング社製　S5200 加速電圧：0.5kV～30kV 分解能：0.5nm(30kV) 倍率：～2,000,000 最大試料サイズ：5mmX9.5mm	VBL
NU-228	走査型電子顕微鏡	日立ハイテクフィールディング社製　S4300 加速電圧：0.5kV～15kV 分解能：1.5nm(15kV) 倍率：～500,000 最大試料サイズ：直径100mm	VBL
NU-204	原子間力顕微鏡	Bruker社製 AXS　Dimension3100 スキャン領域：XY方向　約90μm，Z方向　約6μm 試料サイズ：最大150 mmφ－12 mmt 測定モード　AFM，MFM，EFM，LFM，表面電位顕微鏡，電流像，リソグラフィー	先端研151
NU-220	小型微細形状測定機	小坂研究所社製　ET200 最大サンプルサイズ：　φ160×厚さ48mm 再現性 ：　1σ 1nm以内 測定範囲 ：　Z：600μm X：100mm 分解能 Z：　0.1nm X：0.1μm 測定力：　10μN〜500μN	先端研CR
NU-236	In-situ　電子スピン共鳴（ESR)	Bruker社製 EMX Premium X 試料中に存在する不対電子のリアルタイム計測、温度可変不可（室温）、気体分析可能 サンプルサイズ： 5 mm 幅以下、石英管、ガス分析可	NIC館410
NU-259 NEW	磁気特性評価システム群	磁性材料の磁化曲線の測定，磁気異方性の評価，磁気光学効果の評価といった総合的な磁気特性解析を行うことができます。	IB館北棟加藤研
NU-252	蛍光バイオイメージング装置	ニコン社製　共焦点レーザ顕微鏡　A1Rsi-N 蛍光励起レーザ：405 nm，488 nm，561 nm，635 nm 対物レンズ：100倍，10倍，20倍	IB館西棟5F
NU-254	デジタルマイクロスコープ	KEYENCE社製 VK-9700 分解能：高さ方向　0.01 μm，水平方向　0.13 μm 最大観察倍率：3,000倍 測定用光源：波長　408 nm
NU-255	デジタルマイクロスコープ	KEYENCE社製　VK-9510 分解能：高さ方向　0.01 um 水平方向　0.14 um 最大観察倍率：3,000倍 測定用光源：波長　408 nm	IB館北棟加藤研
NU-207	X線光電子分光装置	VG社製　ESCALab250 Mg/Alツインアノード AlモノクロX線源 Arスパッタ銃 角度分解測定用マニュピレータ 最大試料サイズ：20mmφ	先端研155室
NU-258	フーリエ変換赤外分光分析装置	日本分光社製　FT/IR-615V型 測定波数範囲: 7800～350cm-1 透過および全反射測定対応 干渉計，試料室，検出器部真空引き可能	IB館北棟 牧原研
NU-233	蛍光りん光分光光度計	堀場製作所社製　Fluoromax-4P 光源：オゾンレスキセノンランプ、燐光用フラッシュランプ 試料最大サイズ：〜10mm角程度 燐光寿命計測範囲：10us以上 発光波長計測範囲：290-970nm	VBL
NU-261	段差計	小坂研究所社製　ET200A 最大サンプルサイズ：φ160×厚さ52mm 再現性 ：1σ 0.3nm以内 測定範囲 ：Z：600 µm，X：100mm 分解能 ：Z：0.1 nm，X：0.1 µm 測定力：10 µN〜500 µN	VBL
NU-263 NEW	高分解能走査型電子顕微鏡	日本電子社製　JSM-IT800 加速電圧：0.01kV～30kV ステージバイアス電圧：0〜-5kV 分解能：0.5nm(15kV)，0.7nm(1kV) 倍率：～2,000,000 最大試料サイズ：170mmφ x 45mm EDS分析元素範囲：Be〜Cf	先端研
NU-264 NEW	原子間力顕微鏡	パーク・システムズ社製　NX20 スキャン領域：XY方向100µm，Z方向15µm 試料サイズ：最大200mmφ－20mmt 測定モード：AFM，MFM，EFM，LFM，FMM， C-AFM，ナノリソグラフィ	先端研
NU-265 NEW	物理特性測定装置	日本カンタム・デザイン社製　DynaCool-12T 温度範囲：1.85K〜400K 最大印加磁場：12T 測定オプション：直流抵抗，Van der Pauw-ホール輸送特性，試料振動型磁力計（VSM），試料回転機構	先端研
NU-266 NEW	全自動X線回折装置	リガク社製　SmartLab 9kW 線源：Cu Kα線 9kW 光学系：集中法，平行ビーム法，インプレーン 多層膜ミラー，Geモノクロメーター付き 検出器：HyPix-3000二次元検出器 測定モード：θ－2θスキャン，ロッキングカーブ，逆格子面マッピング，膜面内φスキャン，φ－2θχスキャンなど	先端研