装置一覧

マテリアル先端リサーチインフラ事業では,下記の装置群を利用してナノ素材,ナノ加工,ナノデバイスの研究開発に関する支援を行います。利用方法及び利用申請については,「ご利用方法」の項をご覧ください。
各装置利用の際の時間当たりの利用料はこちらをご覧下さい。

マテリアル先端リサーチインフラ事業では装置共用で創出されるマテリアルデータを構造化し,収集・蓄積を行います。データ登録/未登録で利用料金が異なりますので,ご注意下さい。 データ登録についての詳細は「ご利用方法」「データ登録」の項をご覧下さい。

装置利用料金表(2024.07 )

成膜装置

装置
番号
設備名 仕様 設置場所
NU-213 8元マグネトロンスパッタ装置 2インチカソード8本
試料サイズ30 mm角
RF電源 500 W 2台
基板加熱:600℃
1 kV Arイオンエッチング機構
試料交換室に8サンプルバンク可
先端研151室
NU-214 8元MBE装置 蒸着源:4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個
試料サイズ30 mm角
高圧電源3台
基板加熱:1000℃
1kV Arイオンエッチング機構
25 kV RHEED表面観察機能
先端研151室
NU-205 3元マグネトロンスパッタ装置 島津製作所HSR-522
4インチカソード3本,RF電源500 W 2台
逆スパッタ機構,基盤回転,シャッター開閉機構による多層膜成長可能
先端研CR
NU-224 電子ビーム蒸着装置 アルバック社製 EBX-10D
最大投入電力:5kW
るつぼ数4、ハースライナー使用
VBL
NU-229 スパッタ絶縁膜作製装置 MESアフティ社製 AFTEX-3420
対応基板サイズ:最大3インチ
酸化膜、窒化膜用
VBL
NU-216 スプレーコーター サンメイ製 DC110
対応膜厚:1 µm〜600 µm
試料台サイズ:220 x 220 mm
粒子径:5 µm〜15 µm
先端研CR
NU-245 スパッタリング装置 キヤノンアネルバ社製 E-200S
ターゲット:SiO2,Cr,Au,Pt
基板ホルダー:Φ200 mm
基板加熱:Max 300℃(水冷付)
IB館西棟5F
NU-248 パリレンコーティング装置 KISCO社製 DACS-LAB
蒸着チャンバー寸法:ID300 × H350 mm
回転:0.5~10rpm
IB館西棟5F
NU-221 プラズマCVD装置 サムコ社製 PD-240
基板加熱:抵抗加熱式 (~400℃)
適正ウェハ寸法:不定形~3インチ径
高周波電源:最大300 W(13.56 MHz,水晶制御式)
供給ガス:TEOS, O2,CF4
先端研CR
NU-232 原子層堆積装置 サムコ製 AD-100LE
Al2O3, SiO2, AlOxNy, SiOxNy成膜用
基板サイズ:最大212 mmΦ
加熱温度:最大500℃
ガス導入系:有機金属系2系統,H2O,O2,N2
VBL
NU-262
NEW
プラズマ誘起CVD装置 サムコ製  PD-220N
基板加熱:抵抗加熱式 (常用300℃)
適正ウェハ寸法:最大8インチ径
供給ガス:TEOS
VBL
p

露光・描画装置

装置
番号
設備名 仕様 設置場所
NU-206 電子線露光装置 日本電子社製 JBX6300FS
加速電圧:25 / 50 / 100kV
最小ビーム径:2 nm
ビーム電流:100 pA - 2 nA
重ね合わせ精度:9 nm
先端研CR
NU-222 レーザー描画装置 Heidelberg Instruments社製 DWL66FS
最小描画サイズ:0.6μm           
最大描画サイズ:200mmX200mm
直描およびガラスマスク作製
先端研CR

NU-244

レーザ描画装置 Heidelberg Instruments社製 µPG101-UV
対応基板:100 mm ×100 mm
加工精度:3 µm
最小アドレスグリッド:100 nm
IB館西棟5F

NU-231

マスクレス露光装置 ナノシステムソリューションズ製 DL-1000
最大露光面積:200 mm x 200 mm
最小画素:1 µm(高精細露光機能付)
つなぎ合わせ精度:0.1 µm
重ね合わせ精度:±1 µm
オートフォーカス機能有
VBL
NU-257 露光プロセス装置一式 ユニオン光学社製 PEM800
両面露光が可能
対応基板サイズ:最大4インチ
最小パターン:3.0μm
EI創発工学館
NU-223 フォトリソグラフィ装置 共和理研社製 K310P100S
最大2インチ基板、マスク3インチ
最小パタンサイズ 2μm
VBL

NU-208

マスクアライナ一 Suss Micro Tec AG社製 MA-6
対応基板サイズ:10mm~最大6インチ径ウェハ
主波長:350 nm〜450 nm
裏面アラインメント機能(CCD画像記憶方式)
先端研CR

NU-250

マスクアライナ一 Suss Micro Tec AG社製 MJB-3
最大ウェーハサイズ:3 inch(吸引モード),4 inch(ソフトコンタクト)
照射範囲:3×3 inch
対応基板厚さ:4.5 mm
両面露光:可能(赤外線照明)
IB館西棟5F

NU-251

マスクアライナ一 ナノテック社製 LA410
適応マスク:最大 5 inch
適応資料:最大Φ4 inch
有効露光範囲:Φ80 mm以上
IB館西棟5F

NU-246
(1)

3次元レーザ・リソグラフィシステム Nanoscribe社製 フォトニック・プロフェッショナル
2次元加工精度:100 nm
3次元加工精度:150 nm
IB館西棟5F

NU-247

ナノインプリント装置 SCIVAX社製 X-300 BVU-ND
形式:熱式,UV式
最大ワークサイズ:Φ150 mm
最大荷重:50 KN
最高仕様温度:250℃,650℃
UV機能:波長 365 nm/385 nm
有効照射面積:□100 mm
IB館西棟5F

NU-249

高精度電子線描画装置 日本電子社製 SPG-724
描画方式:ラスタースキャン方式/ブロックスキャン方式
描画フィールド:50μm□/100μm□/200μm□/500μm□(ラスタースキャン)
2,500μm□ 1ブロック=2.5μm□(ブロックスキャン)
IB館西棟5F

NU-260

マスクレス露光装置 ネオアーク社製 PALET DDB-701-DL4
露光領域:100 mm x 100 mm
最大ワークサイズ:Φ150mm x 10 mmt
光源:365 nm LED
最小画素:3 µm(対物レンズx10),15 µm(対物レンズx2)
先端研CR
NU-268 電子線描画用データ処理ソフトウェア GenISys社製 BEAMER
レイアウトエディタ
パターンデータ変換
近接効果補正(PEC)
グレースケール露光補正
先端研
p

プラズマプロセス・エッチング装置

装置番号 設備名 仕様 設置場所
NU-215 ECR-SIMSエッチング装置 ECRイオンガン:入江工研社製 RGB-114 マイクロ波入力150 W,加速電圧600 V,イオン照射径30mm
SIMS検出器:PFEIFFER社製 EDP400
分析質量1-512 amu
試料角度調整,回転機構付き
先端研151
NU-225 ICPエッチング装置 アルバック社製 CE-300I
化合物エッチング
対応基板サイズ:最大6インチ基板
プロセスガス:Cl2
VBL

NU-234

ICPエッチング装置 サムコ製 RIE-200iPN
対応基板サイズ:2インチ x 4枚
プロセスガス:Cl2, BCl3, O2
VBL
NU-209 ICPエッチング装置一式 サムコ社製 RIE-800
ロードロック式装置
ウェーハサイズ: 6 inch
ボッシュプロセス対応
ウエハー貫通エッチングが可能
加工速度: 50 um/min
加工ガス: SF6,O2
先端研CR
NU-226 RIEエッチング装置 サムコ社製 RIE-10NR
シリコン系エッチング
対応基板サイズ:最大8インチ
プロセスガス:CF4,Ar,O2
VBL
NU-256 Deep Si Etcher 住友精密工業製 Multiplex-ASE 
ウェーハサイズ:6 inch
ボッシュプロセス対応
全学技術
センター
NU-235 超高密度大気圧プラズマ装置 富士機械製造株式会社
大気圧プラズマ中のラジカルを用いた材料の表面処理(改質、洗浄)
使用ガス:Ar、N2、Ar+O2
電源:AC交流電源、9kV, 60 Hz
NIC4F 410
NU-243 真空紫外吸収分光計(原子状ラジカルモニター) NUシステム社製
プラズマ診断用、真空チャンバー壁面に設置、H、O、N、Cラジカル密度計測可
NIC4F 410
NU-237 ラジカル計測付多目的プラズマプロセス装置 基板温度、ラジカル、マルチ分光器、FTIRを用いてエッチングの際に生成する温度、ラジカル密度、励起種、表面分析をIn-situで行う。
プロセスガス:H2、N2、Ar、O2、He
基板温度:-10℃-60℃
サンプル:Si、4インチウエハ
NIC4F 410
NU-238 高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置 Cl2あるいはBCl3ベースのプラズマエッチングにおいて,高温でのエッチングプロセスが可能
基板温度:200〜600℃
使用ガス:Cl2,Ar,N2,BCl3,O2
NIC4F 410
NU-239 表面解析プラズマビーム装置 プラズマビームを材料表面に照射し,in-situ XPSによって評価することによって,表面-プラズマ間の反応の解析が可能
イオンおよびラジカルの入射フラックス比を変化させた表面状態の解析も可能
使用ガス:HBr,Ar,CF4,C4F8、Cl2,H2,N2,O2
NIC4F 410
NU-240 in-situプラズマ照射表面分析装置 プラズマ照射した表面を大気暴露すること無く,in-situでXPS,FT-IR,STM分析することが可能
プロセスガス:H2,N2,O2,Ar,He,SiH4,SF6,CF4
NIC4F 410
NU-267 RIEエッチング装置 サムコ社製 RIE-10NR
シリコン系エッチング
対応基板サイズ:最大8インチ
プロセスガス:CF4,O2
先端研
p

その他プロセス装置

装置
番号
設備名 仕様 設置場所
NU-201 イオン注入装置 日新電機社製 NH-20SR-WMH
加速電圧:30-200kV
注入電流:5nm~100μA
先端研CR
NU-218 電気炉 光洋リンドバーグ社製 MODEL272-2
温度範囲:400-1100℃
先端研CR
NU-219 酸化・拡散炉
光洋リンドバーグ社製 MODEL270-M100
温度範囲:600-1150℃
ウェット酸化用
先端研
NU-202 急速加熱処理装置 AG Associates社製 Heatpulse 610
温度範囲:400~1200℃
昇温速度:200℃/sec
先端研CR

NU-246
(2)

超臨界乾燥機 KISCO社製 SCLEAD3CD2000
設計温度:100 ℃
設計圧力:20 MPa
IB館西棟5F

NU-253

SEM用断面試料作製装置 日本電子社製 SM-09010
イオン加速電圧:2~6 kV
イオンビーム径:500 um(半値幅)
最大搭載試料サイズ:幅11 mm × 長さ10 mm × 厚さ2 mm
試料移動範囲:X軸:±3 mm,Y軸:±3 mm
NU-211 フェムト秒レーザー加工分析システム 輝創社製 UFL-Hybrid
光源:1041 nm, 550 fs, 10 µJ (IMRA µjewel D-1000)
高調波発生ユニット:40% @520 nm, 5% @347 nm
(加工ステーション)
最大試料寸法:100 mm x 100 mm
加工スポット:3.5 µmφ
(分析ステーション)
時間分解蛍光・磁気分析・光干渉断層撮影
先端研102-2

NU-210

ダイシングソー装置 サムコ社製 DAD522
最大ワークサイズ:Φ152.4 mm
切削可能範囲(XY):220 mm×160 mm
有効ストローク(Z):27.2 mm
回転角:380°
アラインメント用対物レンズ:100倍
先端研CR
p

計測・分析装置

装置番号 設備名 仕様 設置場所
NU-227 走査型電子顕微鏡 日立ハイテクフィールディング社製 S5200
加速電圧:0.5kV~30kV
分解能:0.5nm(30kV)
倍率:~2,000,000
最大試料サイズ:5mmX9.5mm
VBL
NU-228 走査型電子顕微鏡 日立ハイテクフィールディング社製 S4300
加速電圧:0.5kV~15kV
分解能:1.5nm(15kV)
倍率:~500,000
最大試料サイズ:直径100mm
VBL
NU-204 原子間力顕微鏡 Bruker社製 AXS Dimension3100
スキャン領域:XY方向 約90μm,Z方向 約6μm
試料サイズ:最大150 mmφ-12 mmt
測定モード AFM,MFM,EFM,LFM,表面電位顕微鏡,電流像,リソグラフィー
先端研151
NU-220 小型微細形状測定機 小坂研究所社製 ET200
最大サンプルサイズ: φ160×厚さ48mm
再現性 : 1σ 1nm以内
測定範囲 : Z:600μm X:100mm
分解能 Z: 0.1nm X:0.1μm
測定力: 10μN〜500μN
先端研CR
NU-236 In-situ 電子スピン共鳴(ESR) Bruker社製 EMX Premium X
試料中に存在する不対電子のリアルタイム計測、温度可変不可(室温)、気体分析可能
サンプルサイズ: 5 mm 幅以下、石英管、ガス分析可
NIC館410
NU-259
NEW
磁気特性評価システム群

磁性材料の磁化曲線の測定,磁気異方性の評価,磁気光学効果の評価といった総合的な磁気特性解析を行うことができます。

IB館北棟加藤研
NU-252 蛍光バイオイメージング装置 ニコン社製 共焦点レーザ顕微鏡 A1Rsi-N
蛍光励起レーザ:405 nm,488 nm,561 nm,635 nm
対物レンズ:100倍,10倍,20倍
IB館西棟5F
NU-254 デジタルマイクロスコープ KEYENCE社製 VK-9700
分解能:高さ方向 0.01 μm,水平方向 0.13 μm
最大観察倍率:3,000倍
測定用光源:波長 408 nm
NU-255 デジタルマイクロスコープ KEYENCE社製 VK-9510
分解能:高さ方向 0.01 um
水平方向 0.14 um
最大観察倍率:3,000倍
測定用光源:波長 408 nm
IB館北棟加藤研
NU-207 X線光電子分光装置 VG社製 ESCALab250
Mg/Alツインアノード
AlモノクロX線源
Arスパッタ銃
角度分解測定用マニュピレータ
最大試料サイズ:20mmφ
先端研155室
NU-258 フーリエ変換赤外分光分析装置 日本分光社製 FT/IR-615V型
測定波数範囲: 7800~350cm-1
透過および全反射測定対応
干渉計,試料室,検出器部真空引き可能
IB館北棟
牧原研
NU-233 蛍光りん光分光光度計 堀場製作所社製 Fluoromax-4P
光源:オゾンレスキセノンランプ、燐光用フラッシュランプ
試料最大サイズ:〜10mm角程度
燐光寿命計測範囲:10us以上
発光波長計測範囲:290-970nm
VBL
NU-261 段差計 小坂研究所社製 ET200A
最大サンプルサイズ:φ160×厚さ52mm
再現性 :1σ 0.3nm以内
測定範囲 :Z:600 µm,X:100mm
分解能 :Z:0.1 nm,X:0.1 µm
測定力:10 µN〜500 µN
VBL
NU-263
NEW
高分解能走査型電子顕微鏡 日本電子社製 JSM-IT800
加速電圧:0.01kV~30kV
ステージバイアス電圧:0〜-5kV
分解能:0.5nm(15kV),0.7nm(1kV)
倍率:~2,000,000
最大試料サイズ:170mmφ x 45mm
EDS分析元素範囲:Be〜Cf
先端研
NU-264
NEW
原子間力顕微鏡 パーク・システムズ社製 NX20
スキャン領域:XY方向100µm,Z方向15µm
試料サイズ:最大200mmφ-20mmt
測定モード:AFM,MFM,EFM,LFM,FMM,
C-AFM,ナノリソグラフィ
先端研
NU-265
NEW
物理特性測定装置 日本カンタム・デザイン社製 DynaCool-12T
温度範囲:1.85K〜400K
最大印加磁場:12T
測定オプション:直流抵抗,Van der Pauw-ホール輸送特性,試料振動型磁力計(VSM),試料回転機構
先端研
NU-266
NEW
全自動X線回折装置 リガク社製 SmartLab 9kW
線源:Cu Kα線 9kW
光学系:集中法,平行ビーム法,インプレーン
多層膜ミラー,Geモノクロメーター付き
検出器:HyPix-3000二次元検出器
測定モード:θ-2θスキャン,ロッキングカーブ,逆格子面マッピング,膜面内φスキャン,φ-2θχスキャンなど
先端研
p