装置一覧 -名古屋大学設備・機器共用推進室-

装置一覧EQUIPMENT

装置名	仕様	設置場所
マスクアライナ	厚さ0.7μm以下の不定形試料に対応	先端技術共同施設旧館1階　微細加工室
反応性イオンエッチング装置	エッチングガス：CF4、O2 ,高周波電力：150W	先端技術共同施設旧館1階　デバイスプロセス室
イオン注入装置	加速電圧：5-200kV ,注入電流1 µA～100 µA	先端技術共同施設旧館1階　デバイスプロセス室
X線光電子分光装置	線源：Mg/AlツインアノードおよびAlモノクロX線源,Arスパッタ銃による試料エッチング可能角度分解測定用マニュピレータ	先端技術共同施設新館1階　計測分析室
走査型電子顕微鏡	線源：冷陰極電界放射型電子銃, 加速電圧：0.5～30kV 倍率：10～500,000,エネルギー分散型分光器による組成分析可能	先端技術共同施設旧館1階　微細加工室
電気炉	温度範囲：400-1100℃	先端技術共同施設旧館1階　デバイスプロセス室
急速加熱理装置	温度範囲：400～1200℃ 昇温速度：200℃/sec	先端技術共同施設旧館1階　デバイスプロセス室
薄膜X線回折装置	Cu Kα線 18kW　多層膜ミラー Geモノクロメーター付き測定モード：θ－2θスキャン，ロッキングカーブ，逆格子面マッピング，膜面内φスキャン，φ－2θχスキャンなど	先端技術共同施設新館1階　計測分析室
原子間力顕微鏡	スキャン領域：XY方向　約90μm，Z方向　約6μm 試料サイズ：最大150 mmφ－12 mmt 測定モード　AFM，MFM，EFM，LFM，表面電位顕微鏡，電流像，リソグラフィー	先端技術共同施設新館1階　実験室
8元マグネトロンスパッタ装置	2インチカソード8本試料サイズ30 mm角 RF電源　500 W 2台基板加熱：600℃ 1 kV Arイオンエッチング機構試料交換室に8サンプルバンク可	先端技術共同施設新館1階　実験室
8元MBE装置	蒸着源：4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個試料サイズ30 mm角高圧電源3台基板加熱：1000℃ 1kV Arイオンエッチング機構 25 kV RHEED表面観察機能	先端技術共同施設新館1階　実験室
ECR-SIMSエッチング装置	マイクロ波入力150 W，加速電圧600 V，イオン照射径30mm 分析質量1-512 amu 試料角度調整，回転機構付き	先端技術共同施設新館1階　実験室
3元マグネトロンスパッタ装置	4インチカソード3本，RF電源500 W 2台逆スパッタ機構，基盤回転，シャッター開閉機構による多層膜成長可能	先端技術共同施設旧館1階　デバイスプロセス室
露光プロセス装置一式	両面露光が可能対応基板サイズ：最大４インチ最小パターン：3.0μm	先端技術共同施設旧館1階　微細加工室
エッチングプロセス一式	結晶異方性でのSiの微細加工が可能対応基板サイズ：最大３インチ温度分布：±1℃	秦研究室
薄膜プロセス（金属薄膜形成）	芝浦メカトロニクス社製　CFS-4ES-231 多元金属スパッタ、逆スパッタが可能膜厚分布：±５％以下	先端技術共同施設 *(*)
薄膜プロセス（有機薄膜形成）	日本パリレン合同会社製　PDS2010 生体適合性材料の形成が可能	先端技術共同施設 *(*)
レーザー描画装置	最小描画サイズ：0.6μm 最大描画サイズ：200mmX200mm 直描およびガラスマスク作製	VBL １階101
フォトリソグラフィ装置	最大２インチ基板、マスク３インチ最小パタンサイズ　２μm	VBL １階101
分子線エピタキシー装置	ｋセル8系統：Ga,As,In,Al,Si,Be 対応基板サイズ：最大2インチ RHEED付	VBL １階101
電子ビーム蒸着装置	最大投入電力：5kW るつぼ数4、ハースライナー使用	VBL １階107
スパッタ絶縁膜作製装置	対応基板サイズ：最大3インチ酸化膜、窒化膜用	VBL １階107
ICPエッチング装置	化合物エッチング対応基板サイズ：最大6インチ基板プロセスガス：Cl2	先端技術共同施設旧館1階　デバイスプロセス室
RIEエッチング装置	シリコン系エッチング対応基板サイズ：最大8インチプロセスガス：CF4,Ar,O2	VBL １階107
走査型電子顕微鏡	加速電圧：0.5kV～30kV 分解能：0.5nm(30kV) 倍率：～2,000,000 最大試料サイズ：5mmX9.5mm	VBL 1階102
段差計	触針式垂直分解能：10nm 測定距離：50μm～55mm	VBL １階107
超高密度大気圧プラズマ装置	大気圧プラズマ中のラジカルを用いた材料の表面処理（改質、洗浄）使用ガス：Ar、N2、Ar+O2 電源：AC交流電源、９ｋV, 60 Hz	VBL
超高密度液中プラズマ装置	有機溶媒を用いたナノグラフェン合成液体分析、細胞改質が可能電源９ｋV、６０Hz 液体：アルコール類　５００ｍL プロセスガスAr　３L/min	VBL
大気圧IAMS(イオン付着質量分析器)	大気圧プラズマの質量分析が可能検出質量数　1-410	VBL
真空紫外吸収分光計(原子状ラジカルモニター）	プラズマ診断用、真空チャンバー壁面に設置 H、O、N、Cラジカル密度計測可	VBL
In-situ　電子スピン共鳴　（ESR)	試料中に存在する不対電子のリアルタイム計測、温度可変不可（室温）、気体分析可能サンプルサイズ： 5 mm 幅以下、石英管、ガス分析可	VBL
二周波励起プラズマエッチング装置	次世代ULSI製造プロセス開発に向けた新規代替ガス評価とその開発プロセスガス：Fluorocarbon、Ar、N2、O2、H2 サンプルサイズ：Si　8インチウエハ	VBL
60 MHz 励起プラズマCVD装置	プロセスガス：シラン、N2、水素、アンモニア、希ガス（Ar、He）サンプル：Si、8インチ	VBL
ラジカル計測付多目的プラズマプロセス装置	基板温度、ラジカル、マルチ分光器、FTIRを用いてエッチングの際に生成する温度、ラジカル密度、励起種、表面分析をIn-situで行う。プロセスガス：H2、N2、Ar、O2、He 基板温度：－10℃-60℃ サンプル：Si、4インチウエハ	VBL
レーザー描画装置	ＭＥＭＳの作製およびＳｉエッチング評価の際のマスク作製最小描画サイズ：1.0 μm 直描およびガラスマスク 50 mm x 50 mm	VBL
磁気特性評価システム群交番磁界勾配型磁力計	感度10^-8emu，20kOe	岩田研究室
磁気特性評価システム群振動試料型磁力計	感度10^-5emu，15kOe	岩田研究室
磁気特性評価システム群トルク磁力計	2×10^-3erg，15kOe	岩田研究室
磁気特性評価システム群磁気光学スペクトロメータ	2×10^-3deg，16kOe	岩田研究室
両面露光用マスクアライナ（Suss MA-6）	対応サイズ: Φ2inch - 150 mm，不定形小片：150 mm アライメント精度: ±0.5 mm(表面ｱﾗｲﾒﾝﾄ), ±0.1 mm(裏面ｱﾗｲﾒﾝﾄ),	先端技術共同施設旧館1階　微細加工室
両面露光用マスクアライナ（Suss MJB-3）	最大ウェーハサイズ： 3 inch（吸引モード） 4 inch（ソフトコンタクト）照射範囲：3×3 inch 対応基板厚さ：4.5 mm	新井研究室
マスクアライナ（LA410）	適応マスク：最大　5 inch 適応資料：最大Φ4 inch	新井研究室
スプレーコーター一式	対応サイズ:最大 □220 mm 移動範囲:縦横300 mm 移動速度:10～200 mm/秒粒子径:約5～15 mm クリーンブース　CLB内に設置	先端技術共同施設旧館1階　微細加工室
レーザ描画装置一式	対応基板：100 ×100 mm 加工精度：1 mm 対応データ：DXF，CIF，BMP	新井研究室
スパッタリング装置一式	ターゲット：SiO2，Cr，Au 膜厚分布：Φ100 mm内±3％基板ホルダー：Φ200 mm 基板加熱：Max 300℃（水冷付）	新井研究室
3次元レーザ・リソグラフィシステム一式	Nanoscribe製　ﾌｫﾄﾆｯｸ･ﾌﾟﾛﾌｪｯｼｮﾅﾙ 2次元加工精度：100 nm 3次元加工精度：150 nm 対応データ：DXF, STL	新井研究室
3次元レーザ・リソグラフィシステム一式	KISCO製　SCLEAD3CD2000 設計温度：100 ℃ 設計圧力：20 MPa 外寸：900×600×1200 mm	新井研究室
光三次元造形装置一式	造形精度：16 mm 造形サイズ：260 mm×260 mm×200 mm	新井研究室
ナノインプリント装置一式	形式：熱式，UV式最大ワークサイズ：Φ150　mm 最大荷重：50　KN 最高仕様温度：250℃，650℃ UV機能：波長 365 nm／385 nm 有効照射面積：□100 mm	新井研究室
パリレンコーティング装置一式	蒸着チャンバー寸法：ID300×H350 mm	新井研究室
小型微細形状測定機一式		新井研究室
蛍光バイオイメージング装置一式	共焦点レーザ顕微鏡システム　蛍光励起レーザ： 405 nm，488 nm，561 nm，635 nm 対物レンズ：100倍，10倍，20倍	新井研究室
ICPエッチング装置一式	ウェーハサイズ：6 inch ボッシュプロセス対応加工速度：50 mm/min	先端技術共同施設旧館1階　デバイスプロセス室
ECRスパッタリング装置一式	ﾀｰｹﾞｯﾄｻｲｽﾞ：100 mm×80 mm 加速電圧：100 V～3000 V ｲｵﾝﾋﾞｰﾑ有効径：Φ20 mm	新井研究室
電鋳装置一式	メッキ種類：金ウェーハサイズ：Φ3-12 inch ウェハ材質：Si/ガラス等	新井研究室
高精度電子線描画装置一式	補償分解能：1.2 nm(30kV) 倍率：×10～×1,000,000 試料室：最大200 mm JSM-7000FKに搭載	新井研究室
SEM用断面試料作製装置	最大搭載試料サイズ：イオンビーム径：500 mm 試料移動範囲：±3 mm ×±3 mm	新井研究室
デジタルマイクロスコープ一式	分解能：高さ方向　0.01 mm 水平方向　0.13 mm 最大観察倍率：3,000倍測定用光源：波長　408 nm	新井研究室
電子線露光装置	日本電子社製　JBX6300FS 加速電圧：25 / 50 / 100kV 最小ビーム径：2 nm ビーム電流：100 pA - 2 nA 重ね合わせ精度：9 nm	先端技術共同施設旧館1階　マスク室
フェムト秒レーザー加工分析システム	輝創社製　UFL-Hybrid 光源：1041 nm, 550 fs, 10 µJ (IMRA µjewel D-1000) 高調波発生ユニット：40% @520 nm, 5% @347 nm (加工ステーション) 最大試料寸法：100 mm x 100 mm 加工スポット：3.5 µmφ (分析ステーション) 時間分解蛍光・磁気分析・光干渉断層撮影	先端技術共同施設旧館1階　実験室
X線光電子分光装置	VG社製　ESCALAB210 線源：Mg/AlツインアノードおよびAlモノクロX線源 Arスパッタ銃による試料エッチング可能角度分解測定用マニュピレータ	新井研究室
フーリエ変換赤外分光分析装置	分解能：高さ方向　0.01 mm 水平方向　0.13 mm 最大観察倍率：3,000倍測定用光源：波長　408 nm	北館1階
ICPエッチング装置一式	アルバック社製　CE-300I 化合物エッチング対応基板サイズ：最大6インチ基板プロセスガス：Cl2	西館5階
プラズマCDV装置	サムコ社製　PD-240 基板加熱：抵抗加熱式 (～400℃) 適正ウェハ寸法：不定形～3インチ径高周波電源：最大300 W（13.56 MHz，水晶制御式）供給ガス：TEOS, O2，CF4	先端技術共同施設旧館1階　デバイスプロセス室
ダイシングソー装置	サムコ社製　DAD522 最大ワークサイズ：Φ152.4 mm 切削可能範囲（XY）：220 mm×160 mm 有効ストローク（Z）：27.2　mm 回転角：380° アラインメント用対物レンズ：100倍	先端技術共同施設旧館1階　デバイスプロセス室
リアクティブイオンエッチング装置	置サムコ社製　RIE-10N 対応基板サイズ：最大8 inch プロセスガス：CF4，SF6，O2，Ar 電極径：210 mmφ 最大RF電力：　300 W	先端技術共同施設旧館1階　デバイスプロセス室
プラズマ支援原子層堆積装置	プラズマを用いて原子層での膜堆積が可能製膜中の膜質をその場・in-situ FTIRで評価することが可能基板温度：20?600℃ 使用ガス：SiH4，Ar，N2，H2，O2
高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置	Cl2あるいはBCl3ベースのプラズマエッチングにおいて，高温でのエッチングプロセスが可能基板温度：200?600℃ 使用ガス：Cl2，Ar，N2，BCl3，O2
表面解析プラズマビーム装置	プラズマビームを材料表面に照射し，in-situ XPSによって評価することによって，表面-プラズマ間の反応の解析が可能イオンおよびラジカルの入射フラックス比を変化させた表面状態の解析も可能使用ガス：HBr，Ar，CF4，C4F8、Cl2，H2，N2，O2
in-situプラズマ照射表面分析装置	プラズマ照射した表面を大気暴露すること無く，in-situでXPS，FT-IR，STM分析することが可能プロセスガス：H2，N2，O2，Ar，He，SiH4，SF6，CF4

反応科学超高圧走査透過電子顕微鏡	最高加速電圧； 1000kV 分解能；＜0.15 nm
高分解能電子状態計測操作透過型電子顕微鏡 JEM-ARM200（Cold) (収差補正電子顕微鏡 )	TEM点分解能：0.19nm STEM機能プローブ径：有＜60pm 照射レンズ系に収差補正機能を搭載加速電圧： 200,80kV 冷電界放出電子銃 TEM, STEM, EDS, EELS
電界放出走査透過電子顕微鏡 JEM-10000BU (収差補正電子顕微鏡 )	TEM点分解能：0.11nm STEM機能プローブ径：有＜70pm 照射レンズ系、結像レンズ系のそれぞれに収差補正機能を搭載加速電圧： 200,80kV 電界放出電子銃 TEM, STEM, EDS, EELS 電子線ホログラフィー
電子分光走査透過電子顕微鏡EM2100M	TEM点分解能：0.23nm STEM機能有プローブ径：1.0nm 加速電圧：200kV EELS, EDX、波長分散X線分光器カソードルミネッセンス(CL) 100K-1000Kの温度範囲で計測可
電界放出透過電子顕微鏡 HF-2000 (ホログラフィー電子顕微鏡)	TEM点分解能：0.23nm 加速電圧：200kV 酸素、水素ガス導入可磁気シールドレンズを用いると磁性材料を観察可(最大50万倍) 冷電界放出電子銃
高分解能分析電子顕微鏡JEM-2010F	TEM点分解能：0.19nm STEM機能有プローブ径：1.0nm 加速電圧：80/120/160/200kV 元素分析：EDX 電界放出電子銃
走査電子顕微鏡Quanta200FEG	加速電圧：0.2～30 kV 二次電子像分解能：2 nm（30 kV；ESEMモード、高真空モード）3.5 nm (3 kV：低真空モード) マイクロマニピュレータ：2基搭載エネルギー分散型X線分析装置加熱ステージ：室温～1300℃
高速加工観察分析装置 MI-4000L (FIB-SEM)	加速電圧：30kV (FIB, SEM) マイクロサンプリング機能 FE-SEM、EDS およびEDSD機能
集束イオンビーム加工機 FB-2100(FIB)	加速電圧：40kV マイクロサンプリング、CAD機能
アルゴンイオン研磨装置 PIPSⅡ	イオン銃：低エネルギー集束電極ペニングイオン銃 2式イオンエネルギー：100eV～8keV XY切り替え範囲：±0.5ｍｍ冷却ステージ：液体窒素(保持時間6～7時間)
精密イオンミリング装置	加速電圧 100V ～ 6.0kV イオン電流密度：10mA/cm2（ピーク）ミリング角度：＋10°～－10°
カーボンコーター	高純度炭素繊維使用コード時間：1.95秒プラズマ放電時間：15秒
ダイヤモンドワイヤーソー	ワイヤー間隔サイズ：60 ㎜ワイヤー切断安全スイッチ実装ワイヤー径：φ100～300μm ダイヤモンド粒径：20～60μm
オスミウムコーター Neoc-Pro	チャンバー寸法：φ150×70 mm

レーザーラマン分光光度計	顕微システム（空間分解能：2μm）測定可能範囲：50～4000 cm-1 シングルモノクロメーター・搭載レーザー：グリーンレーザー, 532nm, 10mW	機器分析室
全自動元素分析装置	測定元素 C, H, N (CHNモード) 測定方式カラム分離方式(フロンタルクロマトグラフィ)、TCD検出燃焼方式純酸素中の静的燃焼	機器分析室
微小単結晶X線構造解析装置	分解能可変X線集光ミラー搭載,輝度：31kW/mm2, 電動カメラ長可変機構（25-110mm),CCD検出器（70mmx70mm),Mo線源, χ軸固定,試料吹きつけ冷却装置（-180℃ ? 室温)	1号館2階233
X線粉末回折装置	最大出力：9kW 検出器：シンチレーションカウンター、半導体1次元検出器、二次元検出器 Cuターゲット試料水平配置	鳥本研究室
蛍光X線分析装置	エネルギー分散型最大出力：50W 二次ターゲット：Cu、Mo、Al、RX-9 検出器：Silicon Drift Detector 試料サイズ：φ20	鳥本研究室
粒径測定装置	測定濃度範囲：0.001 % ～ 10 % ゼータ電位：-200 ～ 200 mV 電気移動度：-20×10 -4 ～ 20×10 -4 cm2/V・s 粒子径：0.6 nm ～ 7000 nm　　温度：10～90 ℃ 測定可能サンプル：微粒子分散液 pHタイトレーター装備光学系：レーザードップラー法	小長谷研究室
走査型電子顕微鏡	電界放出形電子銃　二次電子分解能：1.0nm（15kV）、1.4nm（1kV）倍率：×25～1,000,000　加速電圧：0.1～30kV　・ジェントルビームオプション：リトラクタブル反射電子検出器(RBEI)、エネルギー分散形X線分析装置(EDS)	1号館2階233
電子スピン共鳴装置	基準周波数：8.800～9.600 MHz 感度：7 × 109 / 0.1 mT（100 kHz 磁場変調にて、最大出力 200 mW）分解能：100 kHz 磁場変調にて、4 mm × 43.5 mm で 2.35 uT 以上	1号館1階108
エレクトロスプレイ質量分析（ESI-MS）	イオン源：ESI 分析計：リフレクトロン（実効飛行距離：約2.0nm）検出器：400mmφ2段MCP 分解能：6000（FWHM）質量範囲：10000　質量精度：5ppm（PEG, レセルピン）　コールドイオンスプレー源搭載	1号館9階928
マトリックス支援レーザー脱離イオン化飛行時間型質量分析装置	測定質量範囲：1～500000Da（リニアモード）/1～60000Da（リフレクトロンモード）質量分解能（半値幅）：4000以上（最大, Insulin B chain, リニアモード）/20000以上（最大, Insulin, リフレクトロンモード）質量数精度（内部標準）：100ppm以内（リニアモード）/10ppm以内（リフレクトロンモード）	1号館9階928
NMR(500MHz)装置	Agilent製　UNITY INOVA 500	機器分析室
NMR(700MHz)装置	Agilent製　UNITY INOVA 700	機器分析室
固体NMR(300MHz)装置	ＢＲＵＫＥＲ製　AVANCE 300Wbs	1号館1階110
高分子ナノ薄膜の膜厚測定（簡易原子間力顕微鏡）	SII社製　NPX2100	関研究室
薄膜表面観察（原子間力顕微鏡）	Asylum社製　MFP-3D	関研究室
紫外可視吸収分光装置/光学アタッチメント	Agilent社製　8453	関研究室
カスタマイズXRD装置（基本X線散乱装置FR-E）FR-EFR-E	Rigaku社製　FR-E	関研究室
電子円二色性	JASCO社製　ECD　J-820	八島研究室
電子円二色性	JASCO社製　ECD　J-702YS	八島研究室
振動円二色性	JASCO社製　VCD　JV-2001YS	八島研究室
拡散反射円二色性分光装置	JASCO社製　DRCD　PCD-466	八島研究室
液体クロマトグラフィー	JASCO社製	八島研究室
円二色性検出器	JASCO社製　CD-2095 Plus	八島研究室
旋光検出器	JASCO社製　OR-1590	八島研究室
旋光検出器	JASCO社製　OR-2090 Plus	八島研究室
マルチ紫外・可視検出器	JASCO社製　MD-2010 Plus	八島研究室
500MHz NMR装置	Varian社製　OXFORD AS500	八島研究室
原子間力顕微鏡	Veeco Instruments社製　AFM Nanoscope IIIa	八島研究室
熱重量測定装置	SII社製　TG TG/DTA6200	八島研究室
示差走査熱量測定装置	SII社製　DSC DSC6200	八島研究室
フーリエ変換型赤外分光装置	JASCO社製　FT-IR,FT-IR-680 Plus	八島研究室
蛍光分光光度計	JASCO社製　FP-6500	馬場研究室
吸収分光光度計	Shimadzu社製　UV-1800	馬場研究室
動的光散乱（DLS）	Malvern社製　Zetasizer Nano ZS	馬場研究室
接触角計	協和界面科学社製　DM-501	馬場研究室
超解像顕微鏡	Leica社製　TCS STED CW	馬場研究室
超解像顕微鏡	Carl Zeiss社製　Elyra PALM system	馬場研究室
ナノバイオ分子合成・超解像解析評価システム		馬場研究室
蛍光顕微鏡電気泳動システム	Nikon社製　TE300	馬場研究室
全反射蛍光顕微鏡	Olympus社製　IX71	馬場研究室
チップ電気泳動	Agilent社製　Bioanalyzer	馬場研究室
チップ電気泳動	Shimadzu社製　MultiNA	馬場研究室
反応熱・拡散シミュレーション	Coventor社製　CoventorWare	馬場研究室