その他プロセス装置

イオン注入装置

概要

本装置では，Si基板などへの不純物注入を行うことができます．注入密度は1×1010cm-2〜1×1016cm-2の範囲で制御可能．ガス種を交換することで，多様な元素の打ち込みを行うことができ，半導体基板へのドーピング，材料の表面改質などに利用可能である．

仕様/性能

日新電機社製　NH-20SR-WMH

加速電圧：30kV〜200kV
注入電流：5nm〜100μA
打ち込み元素：B，C，O，F，P，Kr，Arなど
　（ガス種を変えることで幅広く選択可能．固体原料も導入可能．）
３インチウェハ×7枚同時導入可能．
基底真空度（試料室）：10-4Pa台
排気系：油拡散ポンプ×3


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電気炉

概要

本装置は，4本の炉を備え，1本をシリコンウエハ等の半導体のドライ熱酸化（100%酸素あるいは窒素による希釈酸素）に用い，残りは試料の窒素雰囲気中での高温熱処理に使用している．半導体素子のゲート絶縁膜として使用されるドライ酸化シリコン酸化膜の形成などに利用することができる．

仕様/性能

光洋リンドバーグ社製　MODEL272-2

温度範囲：400-1100℃
最大ウエハサイズ：4インチ
使用ガス：O2、N2


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酸化・拡散炉

概要

本装置は，シリコンウエハーの酸化・拡散・活性化アニールなどが可能な熱処理装置です。酸化種として水蒸気（H2O）を用いるウエット酸化であり，ドライ酸化にくらべ厚いSiO2層を形成することができます。

仕様/性能

光洋リンドバーグ社製　MODEL270-M100

温度範囲：600-1150℃


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急速加熱理装置

概要

本装置では，主に半導体基板へのイオン注入後の結晶性回復，不純物活性化，金属/半導体コンタクトの化合物電極形成などの半導体プロセス上の熱処理に用いる．200℃/secの極めて急峻な昇温による1000℃前後の高温プロセスを実現できる．ランプ加熱によるため，10分を超えるような長時間の熱処理には不適．操作はPC上で熱処理プロファイルを設定して行なう．半導体プロセス装置であるため，使用に際しては汚染に関する注意が特に必要である．

仕様/性能

AG Associates社製　Heatpulse 610

ランプヒーターによる急速加熱と急冷
昇温速度：200℃/sec
温度範囲：400〜1200℃
熱処理時間：1sec〜300sec
常圧の純窒素，純酸素あるいは混合雰囲気中熱処理（ガス種の変更可能）
チラーによる冷却機構


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超臨界乾燥機

概要

本装置は，微小構造体の露光・現像後に乾燥時に作製した構造体が表面張力で壊れることを防ぐ装置です。超臨界状態の二酸化炭素で溶液を置換後，二酸化炭素を気化することで表面張力の問題を防止します。処理槽の開閉、超臨界二酸化炭素の制御を自動化されており～6インチウェーハに対応しています。

仕様/性能

KISCO社製　SCLEAD3CD2000

設計温度：100 ℃
設計圧力：20 MPa
外寸：900 × 600 × 1200 mm


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SEM用断面試料作製装置

概要

本装置は，ドライ排気されたチャンバ内でイオンビームで試料加工を行うものです。試料移動機構は，水平移動および水平度調節ができるため容易に試料位置決めができます。遮蔽材に沿いイオン照射させ断面を形成させるSEM/EPMAなどの試料作製装置です。

仕様/性能

日本電子社製　SM-09010

イオン加速電圧：2～6 kV
イオンビーム径：500 um（半値幅）
ミリングスピード：200 μm／2H（加速電圧：6kV、シリコン換算、エッジ距離：100μm）
最大搭載試料サイズ：幅11 mm×長さ10 mm×厚さ2 mm
試料移動範囲：X軸：±3 mm，Y軸：±3 mm


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フェムト秒レーザー加工分析システム

概要

本システムは安定性の高い超短パルスファイバーレーザーを利用し，加工から分析まで様々な支援を提供するシステムです。超短パルスレーザーによる材料加工は熱ダメージ無くシャープな切断が可能な加工方法であり，材料熱変形を伴わない精密な加工や多光子吸収を利用した材料選択比の高い加工が可能です。分析においては，超短パルス光の時間分解能を利用して，半導体の時間分解フォトルミネッセンスや磁性体のスピンダイナミクスなど材料の高速現象の測定を行うことができる。また，光干渉断層撮影を利用した加工形状の非破壊，3次元構造解析も行うことができる。

仕様/性能

輝創社製　UFL-Hybrid

光源：1041 nm, 550 fs, 10 µJ (IMRA µjewel D-1000)
高調波発生ユニット：40% @520 nm, 5% @347 nm（パワー可変）

（加工ステーション）
最大試料サイズ：100 mm x 100 mm
加工スポット：3.5 µmφ

（分析ステーション）
時間分解蛍光・磁気分析

（光干渉断層撮影ステーション）
撮影エリア：10 mm x 10 mm x 1.6 mm
深さ分解能：7 µm

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ダイシングソー装置

概要

本装置は，加工物のセッティング作業や切断位置を認識するアライメント作業をマニュアルで行うΦ6インチ対応のダイシングソーです．マニュアル操作の装置として高い操作性を有しています．

仕様/性能

サムコ製　DAD522

最大ワークサイズ：Φ152.4 mm
切削可能範囲（XY）：220 mm×160 mm
有効ストローク（Z）：27.2　mm
回転角：380°
アラインメント用対物レンズ：100倍


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