装置一覧

微細加工ナノプラットフォームでは,下記の装置群を利用してナノ素材,ナノ加工,ナノデバイスの研究開発に関する支援を行います。利用方法及び利用申請については,「ご利用方法」の項をご覧ください。
各装置利用の際の時間当たりの利用料はこちらをご覧下さい。

成膜装置

装置
番号
設備名 仕様
13 8元マグネトロンスパッタ装置 2インチカソード8本
試料サイズ30 mm角
RF電源 500 W 2台
基板加熱:600℃
1 kV Arイオンエッチング機構
試料交換室に8サンプルバンク可
14 8元MBE装置 蒸着源:4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個
試料サイズ30 mm角
高圧電源3台
基板加熱:1000℃
1kV Arイオンエッチング機構
25 kV RHEED表面観察機能
16 3元マグネトロンスパッタ装置 島津製作所HSR-522
4インチカソード3本,RF電源500 W 2台
逆スパッタ機構,基盤回転,シャッター開閉機構による多層膜成長可能
24 分子線エピタキシー装置 エイコーエンジニアリング社製
kセル8系統:Ga,As,In,Al,Si,Be
対応基板サイズ:最大2インチ
RHEED付
25 電子ビーム蒸着装置 アルバック社製 EBX-10D
最大投入電力:5kW
るつぼ数4、ハースライナー使用
26 スパッタ絶縁膜作製装置 MESアフティ社製 AFTEX-3420
対応基板サイズ:最大3インチ
酸化膜、窒化膜用
37 60 MHz 励起プラズマCVD装置 東京エレクトロン、プラズマCVD装置
プロセスガス:シラン、N2、水素、アンモニア、希ガス(Ar、He)
サンプル:Si、8インチ
42 スプレーコーター サンメイ製 DC110
対応膜厚:1 µm〜600 µm
試料台サイズ:220 x 220 mm
粒子径:5 µm〜15 µm
44 スパッタリング装置 キヤノンアネルバ社製 E-200S
ターゲット:SiO2,Cr,Au,Pt
基板ホルダー:Φ200 mm
基板加熱:Max 300℃(水冷付)
48 パリレンコーティング装置 KISCO社製 DACS-LAB
蒸着チャンバー寸法:ID300 × H350 mm
回転:0.5~10rpm
52 ECRスパッタリング装置 エリオニクス社製 EIS-230S
ターゲットサイズ:100 mm × 80 mm
加速電圧:100 V~3000 V
イオンビーム有効径:Φ20 mm
62 プラズマCVD装置 サムコ社製 PD-240
基板加熱:抵抗加熱式 (~400℃)
適正ウェハ寸法:不定形~3インチ径
高周波電源:最大300 W(13.56 MHz,水晶制御式)
供給ガス:TEOS, O2,CF4
65 プラズマ支援原子層堆積装置 プラズマを用いて原子層での膜堆積が可能
製膜中の膜質をその場・in-situ FTIRで評価することが可能
基板温度:20〜600℃
使用ガス:SiH4,Ar,N2,H2,O2
p

露光・描画装置

装置
番号
設備名 仕様
57 電子線露光装置 日本電子社製 JBX6300FS
加速電圧:25 / 50 / 100kV
最小ビーム径:2 nm
ビーム電流:100 pA - 2 nA
重ね合わせ精度:9 nm
1 マスクアライナ キャノン社製PLA-501(S)
厚さ0.7mm以下の不定形試料に対応
17 露光プロセス装置一式 ユニオン光学社製 PEM800
両面露光が可能
対応基板サイズ:最大4インチ
最小パターン:3.0μm
22 レーザー描画装置 Heidelberg Instruments社製 DWL66FS
最小描画サイズ:0.6μm           
最大描画サイズ:200mmX200mm
直描およびガラスマスク作製
39 レーザー描画装置 Heidelberg社製 DWL66 uTAS
MEMSの作製およびSiエッチング評価の際のマスク作製
最小描画サイズ:1.0 μm
直描およびガラスマスク 50 mm x 50 mm
23 フォトリソグラフィ装置 共和理研社製 K310P100S
最大2インチ基板、マスク3インチ
最小パタンサイズ 2μm

41
(1)

マスクアライナ一 Suss Micro Tec AG社製 MA-6
対応基板サイズ:10mm~最大6インチ径ウェハ
主波長:350 nm〜450 nm
裏面アラインメント機能(CCD画像記憶方式)

41
(2)

マスクアライナ一 Suss Micro Tec AG社製 MJB-3
最大ウェーハサイズ:3 inch(吸引モード),4 inch(ソフトコンタクト)
照射範囲:3×3 inch
対応基板厚さ:4.5 mm
両面露光:可能(赤外線照明)

41
(3)

マスクアライナ一 ナノテック社製 LA410
適応マスク:最大 5 inch
適応資料:最大Φ4 inch
有効露光範囲:Φ80 mm以上

43

レーザ描画装置 Heidelberg Instruments社製 µPG101-UV
対応基板:100 mm ×100 mm
加工精度:3 µm
最小アドレスグリッド:100 nm

45
(1)

3次元レーザ・リソグラフィシステム Nanoscribe社製 フォトニック・プロフェッショナル
2次元加工精度:100 nm
3次元加工精度:150 nm

46

光三次元造形装置 Object社製 EDEN250
造形精度:16 um (Z軸)
造形サイズ:260 mm×260 mm×200 mm

47

ナノインプリント装置 SCIVAX社製 X-300 BVU-ND
形式:熱式,UV式
最大ワークサイズ:Φ150 mm
最大荷重:50 KN
最高仕様温度:250℃,650℃
UV機能:波長 365 nm/385 nm
有効照射面積:□100 mm

54

高精度電子線描画装置 日本電子社製 SPG-724
描画方式:ラスタースキャン方式/ブロックスキャン方式
描画フィールド:50μm□/100μm□/200μm□/500μm□(ラスタースキャン)
        2,500μm□ 1ブロック=2.5μm□ (ブロックスキャン)
p

プラズマプロセス・エッチング装置

装置番号 設備名 仕様
15 ECR-SIMSエッチング装置 ECRイオンガン:入江工研社製 RGB-114 マイクロ波入力150 W,加速電圧600 V,イオン照射径30mm
SIMS検出器:PFEIFFER社製 EDP400
分析質量1-512 amu
試料角度調整,回転機構付き
27 ICPエッチング装置 アルバック社製 CE-300I
化合物エッチング
対応基板サイズ:最大6インチ基板
プロセスガス:Cl2
51 ICPエッチング装置一式 サムコ社製 RIE-800
ロードロック式装置
ウェーハサイズ: 6 inch
ボッシュプロセス対応
ウエハー貫通エッチングが可能
加工速度: 50 um/min
加工ガス: SF6,O2
61 ICPエッチング装置一式 エリオニクス社製 EIS-700
試料サイズ: 最大6 inch
高周波電源: 最大1 kW
バイアス電源: 最大300 W
28 RIEエッチング装置 サムコ社製 RIE-10NR
シリコン系エッチング
対応基板サイズ:最大8インチ
プロセスガス:CF4,Ar,O2
64 リアクティブイオンエッチング装置 サムコ社製 RIE-10N
対応基板サイズ:最大8 inch
プロセスガス: CF4,SF6,O2,Ar
電極径: 210 mmφ
最大RF電力: 300 W
73 Deep Si Etcher 住友精密工業製 Multiplex-ASE 
ウェーハサイズ:6 inch
ボッシュプロセス対応
31 超高密度大気圧プラズマ装置 富士機械製造株式会社
大気圧プラズマ中のラジカルを用いた材料の表面処理(改質、洗浄)
使用ガス:Ar、N2、Ar+O2
電源:AC交流電源、9kV, 60 Hz
32 超高密度液中プラズマ装置 NUシステム会社
有機溶媒を用いたナノグラフェン合成
液体分析、細胞改質が可能
電源9kV、60Hz
液体:アルコール類 500mL
プロセスガスAr 3L/min
33 大気圧IAMS(イオン付着質量分析器) キャノンアネルバ社製
大気圧プラズマの質量分析が可能
検出質量数 1-410
34 真空紫外吸収分光計(原子状ラジカルモニター) NUシステム社製
プラズマ診断用、真空チャンバー壁面に設置、H、O、N、Cラジカル密度計測可
36 二周波励起プラズマエッチング装置 次世代ULSI製造プロセス開発に向けた新規代替ガス評価とその開発
プロセスガス:Fluorocarbon、Ar、N2、O2、H2
サンプルサイズ:Si 8インチウエハ
37 60 MHz 励起プラズマCVD装置 東京エレクトロン、プラズマCVD装置
プロセスガス:シラン、N2、水素、アンモニア、希ガス(Ar、He)
サンプル:Si、8インチ
38 ラジカル計測付多目的プラズマプロセス装置 基板温度、ラジカル、マルチ分光器、FTIRを用いてエッチングの際に生成する温度、ラジカル密度、励起種、表面分析をIn-situで行う。
プロセスガス:H2、N2、Ar、O2、He
基板温度:-10℃-60℃
サンプル:Si、4インチウエハ
66 高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置 Cl2あるいはBCl3ベースのプラズマエッチングにおいて,高温でのエッチングプロセスが可能
基板温度:200〜600℃
使用ガス:Cl2,Ar,N2,BCl3,O2
67 表面解析プラズマビーム装置 プラズマビームを材料表面に照射し,in-situ XPSによって評価することによって,表面-プラズマ間の反応の解析が可能
イオンおよびラジカルの入射フラックス比を変化させた表面状態の解析も可能
使用ガス:HBr,Ar,CF4,C4F8、Cl2,H2,N2,O2
68 in-situプラズマ照射表面分析装置 プラズマ照射した表面を大気暴露すること無く,in-situでXPS,FT-IR,STM分析することが可能
プロセスガス:H2,N2,O2,Ar,He,SiH4,SF6,CF4
p

その他プロセス装置

装置
番号
設備名 仕様
5 イオン注入装置 日新電機社製 NH-20SR-WMH
加速電圧:30-200kV
注入電流:5nm~100μA
8 電気炉 光洋リンドバーグ社製 MODEL272-2
温度範囲:400-1100℃
9 急速加熱理装置 AG Associates社製 Heatpulse 610
温度範囲:400~1200℃
昇温速度:200℃/sec

45
(2)

超臨界乾燥機 KISCO社製 SCLEAD3CD2000
設計温度:100 ℃
設計圧力:20 MPa

55

SEM用断面試料作製装置 日本電子社製 SM-09010
イオン加速電圧:2~6 kV
イオンビーム径:500 um(半値幅)
最大搭載試料サイズ:幅11 mm × 長さ10 mm × 厚さ2 mm
試料移動範囲:X軸:±3 mm,Y軸:±3 mm
58 フェムト秒レーザー加工分析システム 輝創社製 UFL-Hybrid
光源:1041 nm, 550 fs, 10 µJ (IMRA µjewel D-1000)
高調波発生ユニット:40% @520 nm, 5% @347 nm
(加工ステーション)
最大試料寸法:100 mm x 100 mm
加工スポット:3.5 µmφ
(分析ステーション)
時間分解蛍光・磁気分析・光干渉断層撮影

63

ダイシングソー装置 サムコ社製 DAD522
最大ワークサイズ:Φ152.4 mm
切削可能範囲(XY):220 mm×160 mm
有効ストローク(Z):27.2 mm
回転角:380°
アラインメント用対物レンズ:100倍
69 走査イオン顕微鏡
(集束イオンビーム加工装置)
SIIナノテクノロジー SMI2050
イオン源 液体金属Ga
加速電圧 30kV
分解能 5nm(加速電圧30k)
最大電流 20nA以上(加速電圧30kV)
最大電流密度 20A/㎠以上(加速電圧30kV)
最大試料サイズ 50mm角、厚さ12mm
p

計測・分析装置

装置番号 設備名 仕様
7 走査型電子顕微鏡 日本電子社製 JSM-6301F
線源:冷陰極電界放射型電子銃
加速電圧:0.5~30kV
倍率:10~500,000
エネルギー分散型分光器による組成分析可能
29 走査型電子顕微鏡 日立ハイテクフィールディング社製 S5200
加速電圧:0.5kV~30kV
分解能:0.5nm(30kV)
倍率:~2,000,000
最大試料サイズ:5mmX9.5mm
74 走査型電子顕微鏡 日立ハイテクフィールディング社製 S4300
加速電圧:0.5kV~15kV
分解能:1.5nm(15kV)
倍率:~500,000
最大試料サイズ:直径100mm
72 透過型電子顕微鏡 日本電子社製 JEM2100
分解能 0.19 nm
立体角 0.28 sr
STEM(走査像観察装置),EDS(エネルギー分散形 X 線分析装置)可能
11 薄膜X線回折装置 RIGAKU社製 ATX-G
Cu Kα線 18kW 多層膜ミラー,Geモノクロメーター付き
測定モード:θ-2θスキャン,ロッキングカーブ,逆格子面マッピング,膜面内φスキャン,φ-2θχスキャンなど
12 原子間力顕微鏡 Bruker社製 AXS Dimension3100
スキャン領域:XY方向 約90μm,Z方向 約6μm
試料サイズ:最大150 mmφ-12 mmt
測定モード AFM,MFM,EFM,LFM,表面電位顕微鏡,電流像,リソグラフィー
70 原子間力顕微鏡 Bruker社製 AXS NanoMan VS-1N
空気中,水中での計測可能
30 段差計 アルバック社製 Dektak150
触針式
垂直分解能:10nm
測定距離:50μm~55mm
49 小型微細形状測定機

小坂研究所社製 ET200
最大サンプルサイズ: φ160×厚さ48mm
再現性 : 1σ 1nm以内
測定範囲 : Z:600μm X:100mm
分解能 Z: 0.1nm X:0.1μm
測定力: 10μN〜500μN

35 In-situ 電子スピン共鳴(ESR) Bruker社製 EMX Premium X
試料中に存在する不対電子のリアルタイム計測、温度可変不可(室温)、気体分析可能
サンプルサイズ: 5 mm 幅以下、石英管、ガス分析可
40 磁気特性評価システム群

磁性材料の磁化曲線の測定,磁気異方性の評価,磁気光学効果の評価といった総合的な磁気特性解析を行うことができます。

50 蛍光バイオイメージング装置

ニコン社製 共焦点レーザ顕微鏡 A1Rsi-N
蛍光励起レーザ:405 nm,488 nm,561 nm,635 nm
対物レンズ:100倍,10倍,20倍

56 デジタルマイクロスコープ

KEYENCE社製 VK-9700
分解能:高さ方向 0.01 μm,水平方向 0.13 μm
最大観察倍率:3,000倍
測定用光源:波長 408 nm

71 デジタルマイクロスコープ

KEYENCE製 VK-9510
分解能:高さ方向 0.01 um
水平方向 0.14 um
最大観察倍率:3,000倍
測定用光源:波長 408 nm

59 X線光電子分光装置

KRATOS社製 AXIS-HSI
線源:Mg/AlデュアルアノードおよびAlモノクロX線源
角度分解測定用マニュピレータ
Arスパッタ銃による試料エッチング可能
帯電中和機構有り
二次元イメージング測定可能

75 X線光電子分光装置

VG社製 ESCALab250
Mg/Alツインアノード
AlモノクロX線源
Arスパッタ銃
角度分解測定用マニュピレータ
最大試料サイズ:20mmφ

60 フーリエ変換赤外分光分析装置

日本分光社製 FT/IR-615V型
測定波数範囲: 7800~350cm-1
透過および全反射測定対応
干渉計,試料室,検出器部真空引き可能

p