装置一覧

マテリアル先端リサーチインフラ事業では，下記の装置群を利用してナノ素材，ナノ加工，ナノデバイスの研究開発に関する支援を行います。利用方法及び利用申請については，「ご利用方法」の項をご覧ください。
各装置利用の際の時間当たりの利用料はこちらをご覧下さい。

マテリアル先端リサーチインフラ事業では装置共用で創出されるマテリアルデータを構造化し，収集・蓄積を行います。データ登録／未登録で利用料金が異なりますので，ご注意下さい。 データ登録についての詳細は「ご利用方法」の項をご覧下さい。

装置利用料金表（2023.9 液体窒素使用料金や人件費などの維持管理費用上昇による料金改定）

成膜装置

装置 番号	設備名	仕様
NU-213	8元マグネトロンスパッタ装置	2インチカソード8本 試料サイズ30 mm角 RF電源　500 W 2台 基板加熱：600℃ 1 kV Arイオンエッチング機構 試料交換室に8サンプルバンク可
NU-214	8元MBE装置	蒸着源：4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個 試料サイズ30 mm角 高圧電源3台 基板加熱：1000℃ 1kV Arイオンエッチング機構 25 kV RHEED表面観察機能
NU-205	3元マグネトロンスパッタ装置	島津製作所HSR-522 4インチカソード3本，RF電源500 W 2台 逆スパッタ機構，基盤回転，シャッター開閉機構による多層膜成長可能
NU-224	電子ビーム蒸着装置	アルバック社製　EBX-10D 最大投入電力：5kW るつぼ数4、ハースライナー使用
NU-229	スパッタ絶縁膜作製装置	MESアフティ社製　AFTEX-3420 対応基板サイズ：最大3インチ 酸化膜、窒化膜用
NU-216	スプレーコーター	サンメイ製　DC110 対応膜厚：1 µm〜600 µm 試料台サイズ：220 x 220 mm 粒子径：5 µm〜15 µm
NU-245	スパッタリング装置	キヤノンアネルバ社製　E-200S ターゲット：SiO2，Cr，Au,Pt 基板ホルダー：Φ200 mm 基板加熱：Max 300℃（水冷付）
NU-248	パリレンコーティング装置	KISCO社製 DACS-LAB 蒸着チャンバー寸法：ID300 × H350 mm 回転：0.5～10rpm
NU-221	プラズマCVD装置	サムコ社製　PD-240 基板加熱：抵抗加熱式 (～400℃) 適正ウェハ寸法：不定形～3インチ径 高周波電源：最大300 W（13.56 MHz，水晶制御式） 供給ガス：TEOS, O2，CF4
NU-232	原子層堆積装置	サムコ製　AD-100LE Al2O3, SiO2, AlOxNy, SiOxNy成膜用 基板サイズ：最大212 mmΦ 加熱温度：最大500℃ ガス導入系：有機金属系2系統，H2O，O2，N2

露光・描画装置

装置 番号	設備名	仕様
NU-206	電子線露光装置	日本電子社製　JBX6300FS 加速電圧：25 / 50 / 100kV 最小ビーム径：2 nm ビーム電流：100 pA - 2 nA 重ね合わせ精度：9 nm
NU-222	レーザー描画装置	Heidelberg Instruments社製　DWL66FS 最小描画サイズ：0.6μm 　　　　　　　　　　 最大描画サイズ：200mmX200mm 直描およびガラスマスク作製
NU-244	レーザ描画装置	Heidelberg Instruments社製　µPG101-UV 対応基板：100 mm ×100 mm 加工精度：3 µm 最小アドレスグリッド：100 nm
NU-231	マスクレス露光装置	ナノシステムソリューションズ製　DL-1000 最大露光面積：200 mm x 200 mm 最小画素：1 µm（高精細露光機能付） つなぎ合わせ精度：0.1 µm 重ね合わせ精度：±1 µm オートフォーカス機能有
NU-257	露光プロセス装置一式	ユニオン光学社製　PEM800 両面露光が可能 対応基板サイズ：最大４インチ 最小パターン：3.0μm
NU-223	フォトリソグラフィ装置	共和理研社製　K310P100S 最大２インチ基板、マスク３インチ 最小パタンサイズ　２μm
NU-208	マスクアライナ一	Suss Micro Tec AG社製　MA-6 対応基板サイズ：10mm～最大6インチ径ウェハ 主波長：350 nm〜450 nm 裏面アラインメント機能（CCD画像記憶方式）
NU-250	マスクアライナ一	Suss Micro Tec AG社製　MJB-3 最大ウェーハサイズ：3 inch（吸引モード），4 inch（ソフトコンタクト） 照射範囲：3×3 inch 対応基板厚さ：4.5 mm 両面露光：可能（赤外線照明）
NU-251	マスクアライナ一	ナノテック社製　LA410 適応マスク：最大　5 inch 適応資料：最大Φ4 inch 有効露光範囲：Φ80 mm以上
NU-246 (1)	3次元レーザ・リソグラフィシステム	Nanoscribe社製　フォトニック・プロフェッショナル 2次元加工精度：100 nm 3次元加工精度：150 nm
NU-247	ナノインプリント装置	SCIVAX社製　X-300 BVU-ND 形式：熱式，UV式 最大ワークサイズ：Φ150　mm 最大荷重：50　KN 最高仕様温度：250℃，650℃ UV機能：波長 365 nm／385 nm 有効照射面積：□100 mm
NU-249	高精度電子線描画装置	日本電子社製　SPG-724 描画方式：ラスタースキャン方式/ブロックスキャン方式 描画フィールド：50μm□/100μm□/200μm□/500μm□ 　　　　　　　　（ラスタースキャン） 　　　　　　　　2,500μm□　1ブロック＝2.5μm□　 　　　　　　　　（ブロックスキャン）
NU-260	マスクレス露光装置	ネオアーク社製　PALET DDB-701-DL4 露光領域：100 mm x 100 mm 最大ワークサイズ：Φ150mm x 10 mmt 光源：365 nm LED 最小画素：3 µm（対物レンズx10），15 µm（対物レンズx2）

プラズマプロセス・エッチング装置

装置番号	設備名	仕様
NU-215	ECR-SIMSエッチング装置	ECRイオンガン：入江工研社製 RGB-114　マイクロ波入力150 W，加速電圧600 V，イオン照射径30mm SIMS検出器：PFEIFFER社製 EDP400 分析質量1-512 amu 試料角度調整，回転機構付き
NU-225	ICPエッチング装置	アルバック社製　CE-300I 化合物エッチング 対応基板サイズ：最大6インチ基板 プロセスガス：Cl2
NU-234	ICPエッチング装置	サムコ製　RIE-200iPN 対応基板サイズ：2インチ x 4枚 プロセスガス：Cl2, BCl3, O2
NU-209	ICPエッチング装置一式	サムコ社製　RIE-800 ロードロック式装置 ウェーハサイズ：　6 inch ボッシュプロセス対応 ウエハー貫通エッチングが可能 加工速度：　50 um/min 加工ガス：　SF6，O2
NU-226	RIEエッチング装置	サムコ社製　RIE-10NR シリコン系エッチング 対応基板サイズ：最大8インチ プロセスガス：CF4,Ar,O2
NU-217	リアクティブイオンエッチング装置	サムコ社製　RIE-10N 対応基板サイズ：最大8 inch プロセスガス：　CF4，SF6，O2，Ar 電極径：　210 mmφ 最大RF電力：　300 W
NU-256	Deep Si Etcher	住友精密工業製　Multiplex-ASE　 ウェーハサイズ：6 inch ボッシュプロセス対応
NU-235	超高密度大気圧プラズマ装置	富士機械製造株式会社 大気圧プラズマ中のラジカルを用いた材料の表面処理（改質、洗浄） 使用ガス：Ar、N2、Ar+O2 電源：AC交流電源、９ｋV, 60 Hz
NU-241	超高密度液中プラズマ装置	NUシステム会社 有機溶媒を用いたナノグラフェン合成 液体分析、細胞改質が可能 電源９ｋV、６０Hz 液体：アルコール類　５００ｍL プロセスガスAr　３L/min
NU-242	大気圧IAMS(イオン付着質量分析器)	キャノンアネルバ社製 大気圧プラズマの質量分析が可能 検出質量数　1-410
NU-243	真空紫外吸収分光計(原子状ラジカルモニター）	NUシステム社製 プラズマ診断用、真空チャンバー壁面に設置、H、O、N、Cラジカル密度計測可
NU-237	ラジカル計測付多目的プラズマプロセス装置	基板温度、ラジカル、マルチ分光器、FTIRを用いてエッチングの際に生成する温度、ラジカル密度、励起種、表面分析をIn-situで行う。 プロセスガス：H2、N2、Ar、O2、He 基板温度：－10℃-60℃ サンプル：Si、4インチウエハ
NU-238	高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置	Cl2あるいはBCl3ベースのプラズマエッチングにおいて，高温でのエッチングプロセスが可能 基板温度：200〜600℃ 使用ガス：Cl2，Ar，N2，BCl3，O2
NU-239	表面解析プラズマビーム装置	プラズマビームを材料表面に照射し，in-situ XPSによって評価することによって，表面-プラズマ間の反応の解析が可能 イオンおよびラジカルの入射フラックス比を変化させた表面状態の解析も可能 使用ガス：HBr，Ar，CF4，C4F8、Cl2，H2，N2，O2
NU-240	in-situプラズマ照射表面分析装置	プラズマ照射した表面を大気暴露すること無く，in-situでXPS，FT-IR，STM分析することが可能 プロセスガス：H2，N2，O2，Ar，He，SiH4，SF6，CF4

その他プロセス装置

装置 番号	設備名	仕様
NU-201	イオン注入装置	日新電機社製　NH-20SR-WMH 加速電圧：30-200kV 注入電流：5nm～100μA
NU-218	電気炉	光洋リンドバーグ社製　MODEL272-2 温度範囲：400-1100℃
NU-219	酸化・拡散炉	光洋リンドバーグ社製　MODEL270-M100 温度範囲：600-1150℃ ウェット酸化用
NU-202	急速加熱理装置	AG Associates社製　Heatpulse 610 温度範囲：400～1200℃ 昇温速度：200℃/sec
NU-246 (2)	超臨界乾燥機	KISCO社製　SCLEAD3CD2000 設計温度：100 ℃ 設計圧力：20 MPa
NU-253	SEM用断面試料作製装置	日本電子社製　SM-09010 イオン加速電圧：2～6 kV イオンビーム径：500 um（半値幅） 最大搭載試料サイズ：幅11 mm × 長さ10 mm × 厚さ2 mm 試料移動範囲：X軸：±3 mm，Y軸：±3 mm
NU-211	フェムト秒レーザー加工分析システム	輝創社製　UFL-Hybrid 光源：1041 nm, 550 fs, 10 µJ (IMRA µjewel D-1000) 高調波発生ユニット：40% @520 nm, 5% @347 nm (加工ステーション) 最大試料寸法：100 mm x 100 mm 加工スポット：3.5 µmφ (分析ステーション) 時間分解蛍光・磁気分析・光干渉断層撮影
NU-210	ダイシングソー装置	サムコ社製　DAD522 最大ワークサイズ：Φ152.4 mm 切削可能範囲（XY）：220 mm×160 mm 有効ストローク（Z）：27.2　mm 回転角：380° アラインメント用対物レンズ：100倍

計測・分析装置

装置番号	設備名	仕様
NU-212	走査型電子顕微鏡	日本電子社製　JSM-6301F 線源：冷陰極電界放射型電子銃 加速電圧：0.5～30kV 倍率：10～500,000 エネルギー分散型分光器による組成分析可能
NU-227	走査型電子顕微鏡	日立ハイテクフィールディング社製　S5200 加速電圧：0.5kV～30kV 分解能：0.5nm(30kV) 倍率：～2,000,000 最大試料サイズ：5mmX9.5mm
NU-228	走査型電子顕微鏡	日立ハイテクフィールディング社製　S4300 加速電圧：0.5kV～15kV 分解能：1.5nm(15kV) 倍率：～500,000 最大試料サイズ：直径100mm
NU-203	薄膜X線回折装置	RIGAKU社製　ATX-G Cu Kα線 18kW　多層膜ミラー，Geモノクロメーター付き 測定モード：θ－2θスキャン，ロッキングカーブ，逆格子面マッピング，膜面内φスキャン，φ－2θχスキャンなど
NU-204	原子間力顕微鏡	Bruker社製 AXS　Dimension3100 スキャン領域：XY方向　約90μm，Z方向　約6μm 試料サイズ：最大150 mmφ－12 mmt 測定モード　AFM，MFM，EFM，LFM，表面電位顕微鏡，電流像，リソグラフィー
NU-220	小型微細形状測定機	小坂研究所社製　ET200 最大サンプルサイズ：　φ160×厚さ48mm 再現性 ：　1σ 1nm以内 測定範囲 ：　Z：600μm X：100mm 分解能 Z：　0.1nm X：0.1μm 測定力：　10μN〜500μN
NU-236	In-situ　電子スピン共鳴（ESR)	Bruker社製 EMX Premium X 試料中に存在する不対電子のリアルタイム計測、温度可変不可（室温）、気体分析可能 サンプルサイズ： 5 mm 幅以下、石英管、ガス分析可
NU-259	磁気特性評価システム群	磁性材料の磁化曲線の測定，磁気異方性の評価，磁気光学効果の評価といった総合的な磁気特性解析を行うことができます。
NU-252	蛍光バイオイメージング装置	ニコン社製　共焦点レーザ顕微鏡　A1Rsi-N 蛍光励起レーザ：405 nm，488 nm，561 nm，635 nm 対物レンズ：100倍，10倍，20倍
NU-254	デジタルマイクロスコープ	KEYENCE社製 VK-9700 分解能：高さ方向　0.01 μm，水平方向　0.13 μm 最大観察倍率：3,000倍 測定用光源：波長　408 nm
NU-255	デジタルマイクロスコープ	KEYENCE社製　VK-9510 分解能：高さ方向　0.01 um 水平方向　0.14 um 最大観察倍率：3,000倍 測定用光源：波長　408 nm
NU-207	X線光電子分光装置	VG社製　ESCALab250 Mg/Alツインアノード AlモノクロX線源 Arスパッタ銃 角度分解測定用マニュピレータ 最大試料サイズ：20mmφ
NU-258	フーリエ変換赤外分光分析装置	日本分光社製　FT/IR-615V型 測定波数範囲: 7800～350cm-1 透過および全反射測定対応 干渉計，試料室，検出器部真空引き可能
NU-233	蛍光りん光分光光度計	堀場製作所社製　Fluoromax-4P 光源：オゾンレスキセノンランプ、燐光用フラッシュランプ 試料最大サイズ：〜10mm角程度 燐光寿命計測範囲：10us以上 発光波長計測範囲：290-970nm
NU-261	段差計	小坂研究所社製　ET200A 最大サンプルサイズ：φ160×厚さ52mm 再現性 ：1σ 0.3nm以内 測定範囲 ：Z：600 µm，X：100mm 分解能 ：Z：0.1 nm，X：0.1 µm 測定力：10 µN〜500 µN